Samsung создала первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET
У южнокорейской братии Samsung склонны первые в универсуме трехнанометровые триоды GAAFET. Разработчики обозначили, что триод подсобит уменьшить размер кристаллика на 35 процентов, если уподобить с FinFET 5 нм.
У южнокорейской братии Samsung склонны первые в универсуме трехнанометровые триоды GAAFET. Разработчики пометили, что триод подсобит опустить размер кристаллика на 35 процентов, если сопоставить с FinFET 5 нм.
Samsung создала первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET
430 06.01.20
Популярные статьи
Теги
Календарь
| « Ноябрь 2024 » | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Пн | Вт | Ср | Чт | Пт | Сб | Вс |
| 1 | 2 | 3 | ||||
| 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
| 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | |
Архив новостей
Февраль 2023 (50)Декабрь 2022 (50)
Ноябрь 2022 (50)
Июнь 2022 (600)
Май 2022 (1950)
Апрель 2022 (922)