Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Бражка Samsung уведомила о произведении наторелого 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного свежих триодов MBCFET. Пример разрешил заверить характеристики будущего техпроцесса.
12.03.21
175