Samsung сообщила об успешном создании чипа по техпроцессу 3-нм
Братия намерена завести его производство уже в соблюдающем году. Утилитарный экспонат разработан с использованием новейшей технологии производства триодов MBCFET, какой приобретет покрышку на 256-Мбит на массиве памяти SRAM.
Бражка намерена взяться его производство уже в вытекающем году. Утилитарный пример разработан с использованием свежей технологии производства триодов MBCFET, какой извлечет покрышку на 256-Мбит на массиве памяти SRAM.
Samsung сообщила об успешном создании чипа по техпроцессу 3-нм
12.03.21
170