Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Шатия Samsung высказала о формировании наторелого 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новехоньких триодов MBCFET. Манер разрешил заверить характеристики будущего техпроцесса.
12.03.21
144