Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Бражка Samsung проинформировала о нарождении наторелого 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного свежих триодов MBCFET. Манер разрешил удостоверить характеристики будущего техпроцесса.
Шатия Samsung проинформировала о произведении наторелого 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новейших триодов MBCFET. Стандарт разрешил заверить характеристики будущего техпроцесса.
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
179 12.03.21
Популярные статьи
Теги
Календарь
| « Ноябрь 2024 » | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Пн | Вт | Ср | Чт | Пт | Сб | Вс |
| 1 | 2 | 3 | ||||
| 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
| 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | |
Архив новостей
Февраль 2023 (50)Декабрь 2022 (50)
Ноябрь 2022 (50)
Июнь 2022 (600)
Май 2022 (1950)
Апрель 2022 (922)